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壓電陶瓷是一種人工合成的多晶壓電材料。壓電陶瓷能夠有效的把機械能比如壓力, 加速等轉換成電能, 反之也可以把電信號轉化成機械運動或震動。我們所代理的佰力博所供應的壓電陶瓷可達到-180℃~649℃全溫度領域應用, 產品尺寸多樣化, 典型的產品形狀包括圓片, 環狀片, 薄片, 柱狀等, 分為常溫, 中溫, 高溫, 超高溫等四個溫度系列, 並提供客製化服務
壓電陶瓷本身不具備壓電性, 當在陶瓷某一方向上施加外加電場時, 內部電鑄在電場力的作用下發生轉向, 當撤去外加電場後, 許多電鑄已形成統一取向, 此時壓電陶瓷便能顯示壓電效應。當電場消失後, 陶瓷會繼續保持一定極性(殘留極性)。這稱之為壓電陶瓷的人工極化
HRMS-800 高溫半導體材料四點探針量測系統應用於半導體薄膜和片狀的導電性能, 該系統採用直式排列四點探針量測原理和單晶矽物理量測法參考美國A.S.T.M標準設計研發, 可於高溫, 真空及惰性氣體條件下量測矽, 鍺單晶(棒材, 晶片)電阻率和矽磊晶層, 擴散層和離子植入層的表面電阻及導電薄膜(ITO)和其他導電薄膜的表面電阻。
該系統可用於實驗, 批量生產中對各種奈米材料, 薄膜/厚膜材料, 孔材料, 粉體/粒子材料, 塊狀材料, 半導體, 碳管, 有機物等氣敏元件材料特性進行分析。測量精度和範圍則依據所選配的量測儀表來決定。
VDMS-2000 高溫介電溫譜量測系統用於電介質材料電性能研究, 是一套具有高溫控制, 量測夾具, 量測軟體, 觸控操作於一體的設備; 可量測介電常數和介電損耗, 阻抗譜Cole-Cole圖, 機電耦合係數Kp. 可在常溫, 高溫, 真空, 氣體條件下量測阻抗Z, 電抗X, 導納Y, 電導G, 電納B, 電感L, 介電損耗D等物理量; 同時可分析待測物隨溫度, 頻率和時間的變化曲線
HDMS-1000 高溫介電熱譜量測系統, 用於電介質材料電性能研究, 是一套具有高溫控制, 量測夾具, 量測軟體, 觸控操作於一體的設備; 可量測介電常數和介電損耗, 阻抗譜Cole-Cole圖, 機電耦合係數Kp. 可在常溫, 高溫, 真空, 氣體條件下量測阻抗Z, 電抗X, 導納Y, 電導G, 電納B, 電感L, 介電損耗D等物理量; 同時可分析待測物隨溫度, 頻率和時間的變化曲線